Produktoversigt

Nice-Tech tilbyder to masseproduktions-metalætsningssystemer til forskellige waferstørrelser, både baseret på ICP-teknologi og skræddersyet til IC-back-metalbehandling (BEOL).

12-tommer system MES 12

Fokuserer på sub-0,18μm højdensitet Al-forbindelser i 12-tommer IC BEOL. Det inkluderer ICP ætsningskamre, descum kamre og et overførselsmodul og understøtter også Al pad ætsning.

8-tommer systemer MES 8

To tilgængelige modeller-MES 800 (mindre end eller lig med 8 % inden for-wafer/ Mindre end eller lig med 5 % wafer-til-waferensartethed, 8.000 stk./måned for 4μm Al) og MES 800P (mindre end eller lig med {12}%wafer lig med {12}% wafer} wafer-til-waferensartethed, 20.000 stk./måned for 0,1μm Al, 400 RF-h MTBC)

Fordele

Høj præcision og stabilitet

12-tommer system passer til processer under 0,18μm; 8-tommer M2 giver bedre ensartethed og længere stabil drift (400 RF-h MTBC).

Kapacitet og omkostningseffektivitet

12-tommers system betjener high-ende store-linjer; 8-tommers modeller giver fleksibel kapacitet (8.000–20.000 stk./måned) med pladsbesparende design.

Bred kompatibilitet

12-tommer system dækker Al sammenkoblinger/puder; 8-tommer systemer understøtter W-recess, og Kessel Pishow M er kompatibel med 6-tommer wafers via valgfri ESC.

Ansøgninger

IC BEOL metalforbindelser

12-tommer system til sub-0,18μm 12-tommer Al-forbindelser/puder; 8-tommer systemer til 8-tommer Al-behandling (M2 til 0,1 μm noder).

Behandling af flere-størrelser/processer

8-tommer MES 800 passer til 6-tommer wafers; begge 8-tommer modeller understøtter W fordybning.

Kapacitetsopgradering

12-tommers system hjælper store fabrikaters høje-kapacitetsudvidelse; 8-tommers modeller (M for mellemsmå linjer, M2 for højeffektiv skalering).

Parametre

Kategori	12-tommer metalætsningssystem (MES 12)	8-tommer metalætsningssystem (MES 800)	8-tommer metalætsningssystem (MES 800P)
Wafer-kompatibilitet	12-tommer (300 mm) IC-wafere; skræddersyet til teknologisknuder under 0,18 μm	8-tommer IC-wafere; kompatibel med 6-tommer wafers via valgfri ESC	8-tommer IC-wafere; optimeret til 0,1μm teknologiknuder
Kammerkonfiguration	ICP ætsningskamre + descum kamre + overførselsmodul	ICP ætsningskamre + overførselsmodul	ICP ætsningskamre + overførselsmodul
Nøgleproceskapaciteter	Al-interconnect-ætsning med høj-densitet, Al-pad-ætsning (BEOL-processer)	Al interconnect ætsning, Al pad ætsning, W Recess	Høj-præcision Al interconnect ætsning, Al pad ætsning, W Recess
Æts ensartethed	Branche-førende ensartethedskontrol til sub-0,18μm højdensitetsprocesser	Mindre end eller lig med 8 % inden for-wafer; Mindre end eller lig med 5 % wafer-til-wafer	Mindre end eller lig med 5 % inden for-wafer; Mindre end eller lig med 3 % wafer-til-wafer
Månedlig Kapacitet	Optimeret til high-12-tommer IC BEOL-masseproduktion (matchende stor fab gennemstrømning)	Op til 8.000 stykker/måned (for 4μm-tyk Al-ætsning)	Op til 20.000 stykker/måned (for 0,1μm-knude Al-forbindelsesætsning)
MTBC	Opfylder 12-tommers IC-masseproduktionsstabilitetsstandarder	Justerer med 8-tommers fab basale stabilitetskrav	Op til 400 RF-h (forbedret stabilitet for høj-gennemstrømningsproduktion)
Industriel overholdelse	Overholder halvledermasse-produktionsstandarder for 12-tommer IC BEOL-linjer	Passer til 8-tommer IC fab plads og omkostningskrav; kompatibel med almindelige BEOL-arbejdsgange	Designet til høj-effektiv 8-tommer IC-masseproduktion; opfylder avanceret nodestabilitet og udbyttekrav