Produktoversigt
Vores RIE Etcher 12-tommer (Reactive Ion Etcher) er præcisionstørætsningsudstyr, vi udviklede uafhængigt-skræddersyet specifikt til avanceret mikro-nanobehandling. I sin kerne blander den fysisk ionbombardement med kemiske reaktionsmekanismer og bryder endelig igennem den vanskelige "præcisions-kontrolbalance" flaskehals, der længe har været plaget af traditionel ætsningsteknologi. Det kan prale af fremragende anisotropisk ætsningsevne og ultra-høj materialeselektivitet, hvilket gør det til et gå-til kerneprocesværktøj til halvlederfremstilling, MEMS-udvikling og optoelektronisk enhedsproduktion. Uanset om du laver avanceret laboratorieforskning eller øger industriel masseproduktion, leverer denne serie stabile, pålidelige procesløsninger, du kan regne med.
Ansøgninger
- Semiconductor Manufacturing: Vi bruger det til front-transistormønster, back--TSV-ætsning og SOI-substratbehandling-samlet skal- have til krympende chipprocesser.
- MEMS-enhedsudvikling: Den fastgør præcis behandling af mikro-sensorer, aktuatorer og fluidchips og ætser pålideligt 3D-strukturer (op til 20:1 billedformat) på silicium og polymerer.
- Optoelektronisk industri: Fungerer til optiske bølgeledere, LED-epitaksiale wafere, fotodetektorer-tæt strukturstyring øger lyseffektiviteten.
- Nanoteknologisk forskning: Sammen med ALE-teknologi udfører den materialefjernelse på atomare-niveau-super pålidelig for 2D-materialer (grafen, MoS₂) og nano-mønstre.
Fordele
Uni-kropsdesignkoncept:
Fod-aftryk udestående (ref 1,0m* 1,0m)
Ensartet kammercenterpumpe-ned:
Bedre procesydelse
Brusehovedgastilførsel-ind, kan også konfigureres:
Indstillet som en forudindstillet parameter afhængigt
Plasmaudladningsgap kan konfigureres:
Indstillet som en forudindstillet parameter afhængigt
Omkostnings- eller præstationsorientering valgfri:
RF, Pumpe, Værdier etc. afhængig af krav
Valgfri prøvehåndtering:
Åbn-Indlæs eller Indlæs-Lås
Parametre
|
Specifikation |
Parametre |
|
Wafer Størrelsesområde |
4,6,8,12 tommer eller multi-wafers valgfri |
|
Ætsningsmaterialer |
Si-Baseret(Si/SiO2/SiNx/SiC/kvarts osv.), forbindelser |
|
Vakuum |
TMP og mekanisk pumpe |
|
RF Power |
Full Range 300-1000W, valgfri |
|
Gas System |
4 linjer (Standard) eller tilpasset |
|
Wafer køling |
Vandkøling eller He Backside Cooling valgfri |
|
Wafer Stage |
Fra-70 grader til 200 grader, valgfri |
|
Ikke-ensartethed |
Mindre end ± 5 % (kantekskludering) |
FAQ
Hvilke typer materialer kan RIE Etcher 12-tommer behandle?
Det dækker Si-baserede materialer, sammensatte halvledere, 1D&2D-materialer, metaller osv. og understøtter også fejlanalyse af relaterede materialer.
Hvilke waferstørrelser understøttes?
Kompatibel med 4/6/8/12-tommers wafers og multi-wafer-behandling med tilpassede løsninger til specielle størrelser.
Hvad er ætsningens ensartethed?
Uensartetheden- er<±5% after edge exclusion, ensuring full-wafer processing consistency.
Hvad er temperaturområdet for waferstadiet?
Valgfri -70 grader til 200 grader, der opfylder kravene til lav-temperatur til højtemperatur ætsningsprocesser.
Hvor mange gasledninger er der i standardkonfigurationen, og kan den tilpasses?
Standardkonfigurationen inkluderer 4 gasledninger, som kan tilpasses og udvides efter komplekse procesbehov.
Hvad er RF-effektområdet?
Dækker et komplet sortiment på 300-1000W, kan vælges efter behov.
Hvad er prøvehåndteringsmetoderne?
Giver to muligheder: Åben-Load og Load-Lås, tilpasning til forskellige produktionseffektivitet og miljømæssige kontrolbehov.
Hvilket vakuumsystem er udstyret?
Vedtager en kombination af TMP turbomolekylær pumpe og mekanisk pumpe for at sikre et stabilt vakuummiljø, der kræves til ætsning.
Er udstyrsvedligeholdelse bekvemt?
Det integrerede design forenkler den interne struktur, nøglekomponenter er nemme at vedligeholde, hvilket reducerer nedetid og vedligeholdelsesbesvær.
Kan plasmaudladningsgabet justeres?
Den kan konfigureres og justeres som en forudindstillet parameter i henhold til proceskravene for at opnå præcis ætsningskontrol.
Understøtter det omkostningsorienterede-eller ydeevne-orienterede konfigurationsmuligheder?
Understøtter begge konfigurationer; nøglekomponenter såsom RF-strømforsyning, pumpe og ventiler kan vælges efter behov for at balancere omkostningerne eller forbedre ydeevnen.
Kan wafer-kølemetoden tilpasses?
Understøtter to muligheder: vandkøling og He bagsidekøling, med skræddersyede løsninger til rådighed til specielle behov.
Populære tags: rie etcher 12-tommer, Kina rie etcher 12-tommer producenter, leverandører
