Waferrensning refererer til processen med at bruge kemiske eller fysiske metoder til at fjerne forurenende stoffer og oxider fra overfladen af en wafer under fremstillingen af integrerede kredsløb for at opfylde renhedskravene til waferoverfladen. Princippet for waferrensning er at fjerne forskellige urenheder uden at beskadige waferen.
Der er fire hovedmekanismer til fjernelse af partikler: opløsning, oxidativ nedbrydning, elektrisk frastødning mellem partikler og silicium wafer overflader og let korrosion af silicium wafer overflader.
Til fjernelse af metalpartikler anvendes sædvanligvis SC-2-opløsning eller HPM-opløsning til at reducere metalindholdet på waferoverfladen. SC-2 opløsningen gennemgår krystallisation, hvilket kan øge antallet af partikler på waferoverfladen efter rensning. Derfor kan HF bruges i stedet for HCL, eller O3 kombineret med HF kan bruges i stedet for SC-2 opløsning for effektivt at fjerne metalpartikler.
Til organiske forurenende stoffer anvendes sædvanligvis SPM-opløsning eller UV/ozon-renseteknologi til fjernelse.
Efter våd rengøring skal waferen tørres grundigt for at sikre, at der ikke er vandmærker på overfladen, før den går i gang med næste proces. De tre mest almindelige tørretilstande, der er tilgængelige i øjeblikket, er roterende tørring, Marangoni-tørring og varm isopropanol-forstøvningstørring.
